马斯克半导体工厂 Terafab 规划曝光,存储芯片产能直接对标三星
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据日经新闻报道,埃隆·马斯克的半导体工厂项目 Terafab 已开始推进,计划于 2028 年第三季度实现量产,并在 2032 年实现月产 100 万片晶圆的产能目标,其中 70 万片用于存储芯片、30 万片用于逻辑芯片。报道还称,Terafab 研发基地明年 5 月或 6 月前后将产出首款采用 SRAM 电路的测试芯片。
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IT之家 11 月 9 日消息,据日经新闻今日报道,埃隆·马斯克的半导体工厂项目 Terafab 已开始推进。他提出了向日本设备制造商订购的计划,并敦促工厂开始运营。

根据马斯克此前公布的规划,SpaceX 与特斯拉合资成立的芯片制造企业 Terafab 计划在 2028 年第三季度实现量产。

最新报道提到,Terafab 已向半导体设备供应商透露,计划于 2032 年实现月产 100 万片晶圆的产能目标,其中 70 万片用于存储芯片、30 万片用于逻辑芯片。

需要注意的是,三星目前 DRAM 月产能约为 65 万至 70 万片晶圆,马斯克给 Terafab 定的存储芯片目标直接对标了三星目前的规模。

对于一家尚处起步阶段的新进入者而言,能否在约六年内复制三星现有规模,将是对整个行业格局的重大考验。

综合 IT之家此前报道,马斯克曾透露,Terafab 的内部目标是,明年 5 月或 6 月前后,在位于奥斯汀的 Terafab 研发基地产出首款采用静态随机存取存储器(SRAM)电路的测试芯片,并实现正常工作。

芯片厂商一般会先制造静态随机存取存储器电路,以此打磨生产工艺。

此外,特斯拉和 SpaceX 计划每年在 Terafab 的研究设施制造和测试约 10 款芯片,用造火箭的思维造芯片,加快开发进程。马斯克补充说,团队可以快速测试芯片,制造新的光刻掩膜,并生产另一个版本,而不中断迭代循环。团队尝试了多种方法,大多数方法最初都失败了;然而,更快的测试节奏有助于加快研发进程。

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