儲存芯片市場的供給與需求結構正傾向於向頂端廠商傾斜，漲價週期可能比市場預期更長。

高盛於10月27日舉辦了TrendForce儲存行業專家網絡研討會。TrendForce專家在會上表示，DRAM供應將在整个2027年維持緊張態勢，價格上漲週期有望延續至2028年上半年；HBM混合平均價預計2027年同比大幅上漲122%至每Gb3.7美元，推動HBM行業收入增長超過230%，突破2000億美元。

產能擴張面臨無法滿足潔淨室空間需求及設備交貨期過長等結構性制約，TrendForce判斷2028年前難以實現有效供給增量，這一瓶頸為價格上漲提供了持續支撐。同時，中國HBM供應商短期內的競爭威脅有限，預計2027年其合計市場份額將不足2%。

DRAM 涨價週期或延續至2028年上半年

TrendForce 預計，服務器需求將保持強勁，供給增量受限，這將在未來幾個季度持續推動 DRAM 的均價上漲，儘管消費端需求偏弱會造成一定的拖累。

長期協議（LTA）的覆蓋率達到60%至70%，可能使2027年的價格漲幅趨於溫和。但TrendForce指出，超出協議鎖定量的增量需求仍可通過談判以更高的價格成交，整體定價重心仍向上傾斜。綜合各項因素，TrendForce目前預計DRAM價格將持續上漲至2028年上半年。

TrendForce 預計，HBM 混合平均價格將在2027年同比上漲122%至每 GB 3.7美元，推動 HBM 行業收入同比增長超過230%，超過2000億美元。

價格分化將較為明顯。TrendForce 表示，HBM4 的高端定價可能超過每 GB 5美元，低端則接近每 GB 3美元，供應商與客戶之間的議價結果差異顯著。8層疊 HBM4 由於單位內存基礎芯片成本更高，較12層疊產品每比特溢價預計在5%至10%之間；HBM4E 的定價則可能大幅高於 HBM4。

高盛在報告中表示，上述判斷與其自身預測基本一致——該行目前估計主要供應商明年HBM的均價同比漲幅為100%至160%。

產能擴張受制於設備與廠房，供給瓶頸短期難解

儘管頭部廠商的資本支出計畫積極，TrendForce仍認為在2028年之前難以實現有效的DRAM產能增量，主要瓶頸在於無法提供足夠的無塵室空間以及半導體設備的交貨期過長。

TrendForce 預計，每家韓國廠商在2027年每月可新增8萬至10萬片晶圓產能（WPM）。但三星電子的新增產能預計將大部分用於HBM，傳統DRAM的比特增長主要依賴製程遷移推動。設備供應狀況有望從2027年下半年起逐步改善，新晶圓廠對供給的實質性貢獻預計要到2028年才會顯現。TrendForce同時指出，供應商也可能根據需求前景主動調控擴產節奏。

TrendForce 表示，Google 正在成爲 HBM 需求增長的重要驅動力。隨著 TPU 在 Google 数据中心的部署比例持續提升，HBM3E 的比特需求明年有望獲得支撐，這意味著 HBM 的需求將呈現跨代分佈，而非集中於 HBM4 及 HBM4E。

与此同时，由於 HBM4 的定價溢價顯著，預計 TrendForce 將佔 2027 年 HBM 行業收入的近 60%。

TrendForce認為，儘管中國儲存製造商持續加大產能與技術投入，但其在技術能力與良率方面仍與領先供應商存在相當差距，短期內對全球HBM市場構成的競爭風險有限。

高盛重申對三星電子普通股及優先股的買入評級，12個月目標價分別為50萬韓元和38萬韓元，估值基於2026至2027年預期 EV / EBITDA 的分類加總（ SOTP）方法。

SK 海力士的目标價為350萬韓元，基於2026至2027年的平均預期市盈率（P/E），對應9.0倍的目標估值倍數，同樣維持買入評級。